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規格說明
Specification: 點此下載規格PDF
60V N-Channel
Enhancement Mode MOSFET

60V/2.8A,RDS(ON)=135m@VGS=10V
60V/2.0A,RDS(ON)=145m@VGS=4.5V
Super high density cell design for extremely Low RDS (ON)
Exceptional on-resistance and maximum DC current capability
SOT-23 package design
 
 
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